● 采用高性能CMOS工藝
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○ 防止固件逆向破解
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○ 主頻150MHz(周期6.67ns)
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● 電機(jī)控制外設(shè)(PWM產(chǎn)生電路)
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○ 低功耗設(shè)計(jì)(內(nèi)核1.8V,I/O電壓3.3V)
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○ 事件管理器1(EM1),事件管理器2(EM2)
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○ 集成片內(nèi)1.8V線性穩(wěn)壓電源(LDO)
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○ 分別包括:2個(gè)16位定時(shí)器,3個(gè)數(shù)值比較器,3個(gè)捕獲單元,1個(gè)正交編碼電路。
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● 支持JTAG在線仿真
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● 串行端口外設(shè)
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● 高性能32位CPU
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○ 串行外設(shè)接口(SPI)
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○ 單周期32位x32位乘累加(MAC)運(yùn)算
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○ 2個(gè)串行通信接口(SCI),兼容通用異步收發(fā)(UART)標(biāo)準(zhǔn)
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○ 單周期2個(gè)16位x16位乘累加(MAC)運(yùn)算
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○ 增強(qiáng)型控制器局域網(wǎng)絡(luò)(eCAN)控制器,集成片內(nèi)eCAN驅(qū)動(dòng)器
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○ 哈佛(Harvard)總線架構(gòu)
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○ 多通道緩沖串行端口(McBSP)
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○ 原子操作
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● 12位16通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)
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○ 快速中斷響應(yīng)和處理
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○ 2 x 8通道輸入復(fù)用器
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○ 統(tǒng)一寄存器編程模式
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○ 兩個(gè)采樣保持電路
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○ 4M線性程序/數(shù)據(jù)地址
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○ 單一/同步轉(zhuǎn)換
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○ 可使用C/C++和匯編語言高效率編程
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○ 快速轉(zhuǎn)換速率:80ns/12.5MSPS
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● 片內(nèi)存儲(chǔ)器資源
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● 56個(gè)通用I/O (GPIO)引腳
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○ 閃存:128K x 16位閃存(4個(gè)8Kx16位和6個(gè)16Kx16位扇區(qū))
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● 先進(jìn)的仿真功能
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○ ROM:128K x 16位ROM(注:C版,需客戶定制)
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○ 分析和斷點(diǎn)功能
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○ 1K x 16一次性可編程(OTP) ROM
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○ 基于硬件的實(shí)時(shí)調(diào)試
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○ L0和L1:2塊4Kx16位獨(dú)立尋址SARAM
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● 開發(fā)工具
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○ H0:1塊8K x 16位SARAM
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○ ANSI C/C++編譯器/匯編語言/連接器
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○ M0和M1:2塊1Kx16位獨(dú)立尋址SARAM
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○ 支持Code Composer Studio? IDE
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● 引導(dǎo)ROM (4K X 16位)
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○ 支持DSP/BIOS?
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○ 支持軟件引導(dǎo)模式
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○ JTAG仿真器
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○ 自帶標(biāo)準(zhǔn)算術(shù)表
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● 低功耗模式和省電模式
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● 外部存儲(chǔ)擴(kuò)展接口
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○ 支持IDLE(空閑)、STANDBY(待機(jī))、HALT(暫停)模式
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○ 超過1M x 16位的可擴(kuò)展空間
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○ 可禁用獨(dú)立外設(shè)時(shí)鐘
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○ 可編程等待狀態(tài)
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● 強(qiáng)大的靜電泄放(ESD)防護(hù)能力
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○ 可編程讀/寫時(shí)序
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○ ESD人體模式(HBM): +4000V/-4000V
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○ 3個(gè)獨(dú)立片選信號(hào)
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○ ESD機(jī)器模式(MM): +400V/-400V
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● 時(shí)鐘和系統(tǒng)控制
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○ 閂鎖效應(yīng)(Latch-up)觸發(fā)電流: 400mA
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○ 支持動(dòng)態(tài)鎖相環(huán)(PLL)分頻系數(shù)調(diào)整
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● 封裝選項(xiàng)
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○ 片內(nèi)振蕩器
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○ BGA 179(帶外部存儲(chǔ)器接口)
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○ 看門狗定時(shí)器
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○ LQFP176(帶外部存儲(chǔ)器接口)
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● 三個(gè)外部中斷接口
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○ LQFP128(無外部存儲(chǔ)器接口)
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● 支持45個(gè)外設(shè)中斷的外設(shè)中斷擴(kuò)展塊(PIE)
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● 產(chǎn)品等級(jí)
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● 三個(gè)32位的CPU定時(shí)器
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○ S: -40°C~125°C
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● 128位安全密鑰/鎖
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○ A: -40°C~85°C
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○ 保護(hù)閃存/ROM/OTP和L0/L1 SARAM
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